SK Hynix и SanDisk представили новый тип промежуточной памяти

4 августа на открытии конференции FMS 2026 в Калифорнии SK Hynix совместно с SanDisk опубликовала первые спецификации HBF — технологии, которая претендует на роль промежуточного слоя между высокоскоростной памятью HBM и накопителями SSD. 

Основные технические характеристики HBF:

• емкость — до 512 ГБ (в конфигурации 8 и 16 кристаллов на стек NAND);
• пропускная способность — от ~0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с;
• интерфейс подключения — UCIe , открытый стандарт обеспечивает совместимость с GPU и CPU разных производителей.

Спецификации открыты через Open Compute Project — сообщество по технологиям ЦОД. Это позиционирует HBF как общеиндустриальный открытый стандарт, а не проприетарную разработку.

После анонса HBF современные ИИ-серверы, вероятно, будут иметь четырехуровневую иерархию памяти:

1. HBM — обрабатывает «горячие» данные прямо в вычислительном ядре (наивысшая скорость, минимальная емкость, огромная цена).
2. CXL — ускоряет классическую оперативную память благодаря задержкам на уровне десятков–сотен наносекунд, сохраняя полную совместимость с CPU/GPU.
3. HBF — заполняет пробел между оперативной памятью и SSD. Благодаря интеграции через шину UCIe напрямую с процессором, устройства обеспечат скорость, близкую к HBM, но с большой емкостью на базе недорогой NAND-архитектуры.
4. NVMe SSD — хранят «холодные» данные.

В инфраструктуре LLM ключевой проблемой является хранение огромного контекста и весов моделей при вычислениях (инференсе):

• CXL принимает на себя данные, требующие мгновенного доступа и частой перезаписи с ультраминимальной задержкой;
• HBF берет на себя хранение гигабайтных кэшей контекста и весов ИИ-моделей, которые не поместились в HBM и CXL из-за дороговизны и ограничений по емкости этих типов памяти.

Партнерство SK Hynix и SanDisk по стандартизации HBF началось в августе 2025 года. Консорциум запущен в феврале 2026-го, в него также входят Google и Tenstorrent.

Также на выставочном стенде FMS 2026 SK Hynix анонсировала демонстрацию 375-слойной 4D NAND (V10), находящейся в стадии разработки. По заявлению компании, производительность памяти выросла в 2,5 раза на ватт затрачиваемой энергии по сравнению с предыдущим поколением. Массовое производство eSSD запланировано на начало следующего года.

Согласно Yahoo Finance, с начала 2026 года акции SK Hynix выросли более чем на 330%, однако потеряли около половины стоимости с момента достижения пика в июне. 

Напомним, в июле фонд Ашенбреннера лишился большей части портфеля акций.